Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

Samsung MZ-V9S2T0, 2 TB, M.2, 7150 MB/s
Categoria Solid State Disk Marca SAMSUNG SKU MZ-V9S2T0BW EAN13 8806095575650
Prezzo: 291,12 €
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Velocità spettacolare ogni giorno
Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Energia per tutta la giornata
Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.
Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

Software Samsung Magician
Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

Diamo vita alle idee
Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

Perché acquistare

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Più spazio. Massima velocità.

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Più spazio. Massima velocità.
Software Samsung Magician

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Diamo vita alle idee

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Performance

Performance

Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica

Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

Efficienza energetica
Versatilità

Versatilità

Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

Specifiche Prodotto

Capacità SSD2 TBDimensione SSDM.2
InterfacciaPCI Express 4.0NVMe
Tipo memoriaV-NAND TLCComponente perPC
criptaggio hardwareVersione di NVMe2.0
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AESDimensioni dell'unità SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura7150 MB/sVelocità di scrittura6300 MB/s
Lettura casuale (4KB)850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)Scrittura casuale (4KB)1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto S.M.A.R.T.Supporto TRIM
Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 hTensione di esercizio3,3 V
Consumo energetico medio (lettura)4,6 WConsumo energetico medio (scrittura)4,2 W
Larghezza80,2 mmProfondità2,38 mm
Altezza22,1 mmPeso9 g
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °CShock di funzionamento1500 G
Categoria Solid State Disk Marca SAMSUNG Riferimento MZ-V9S2T0BW EAN13 8806095575650
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Performance
Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

Efficienza energetica
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Versatilità
Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

Perché acquistare

Velocità spettacolare ogni giorno

Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

Velocità spettacolare ogni giorno
Energia per tutta la giornata

Energia per tutta la giornata

Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

Più spazio. Massima velocità.

Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

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Specifiche Prodotto

Capacità SSD2 TBDimensione SSDM.2
InterfacciaPCI Express 4.0NVMe
Tipo memoriaV-NAND TLCComponente perPC
criptaggio hardwareVersione di NVMe2.0
Algoritmi di sicurezza supportati256-bit AESDimensioni dell'unità SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura7150 MB/sVelocità di scrittura6300 MB/s
Lettura casuale (4KB)850000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)Scrittura casuale (4KB)1350000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Supporto S.M.A.R.T.Supporto TRIM
Tempo medio tra guasti (MTBF)1500000 hTensione di esercizio3,3 V
Consumo energetico medio (lettura)4,6 WConsumo energetico medio (scrittura)4,2 W
Larghezza80,2 mmProfondità2,38 mm
Altezza22,1 mmPeso9 g
Intervallo temperatura di funzionamento0 - 70 °CShock di funzionamento1500 G
Categoria Solid State Disk Marca SAMSUNG Riferimento MZ-V9S2T0BW EAN13 8806095575650
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